
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):36V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.2nC@10V;
CXW

类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):930pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):90V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.1mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.27nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):36pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):28nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.02nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):126pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);
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