类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,9.1A;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):23pF@50V;工作温度:+175℃@(Tj);

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,10A;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):51nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.33nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):230pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):210pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,28A;