类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.1A;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA;

直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@100mA;

直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):500mV@200mA;

二极管配置:-;功率:-;直流反向耐压(Vr):-;平均整流电流(Io):-;正向压降(Vf):-;反向电流(Ir):-;反向恢复时间(trr):-;

晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj);

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA;

NPN