漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):8A;

1500V 4A 高压MOS管 超高压MOS管

漏源电压(Vdss):1.2kV;连续漏极电流(Id):12A;

漏源电压(Vdss):1.2kV;连续漏极电流(Id):6A;

漏源电压(Vdss):1.5kV;连续漏极电流(Id):4A;

漏源电压(Vdss):1.2kV;连续漏极电流(Id):8A;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1.5kV;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):6V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):44nC;输入电容(Ciss@Vds):1.408nF;反向传输电容(Crss@Vds):19.8pF;工作温度:-50℃~+150℃;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,1.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@100μA;栅极电荷(Qg@Vgs):42nC;输入电容(Ciss@Vds):1.154nF;反向传输电容(Crss@Vds):21.3pF;工作温度:-55℃~+175℃;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,1.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@100μA;栅极电荷(Qg@Vgs):42nC;输入电容(Ciss@Vds):1.154nF;反向传输电容(Crss@Vds):21.3pF;工作温度:-55℃~+175℃;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):272W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.18Ω@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):43nC;输入电容(Ciss@Vds):2.15nF;反向传输电容(Crss@Vds):13pF;工作温度:-55℃~+150℃;