直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):450mV@5A;
MDD
Schottky Diode VR=150V IF=1A VF=0.95V IR=200uA
MDD
Schottky Diode VR=100V IF=30A VF=0.85V IR=1000uA
MDD
VR=100V IF=5A VF=0.85V IR=500uA
MDD
直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):600mV@1A;
MDD
Schottky Diode VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
MDD
Schottky Diode VR=100V IF=3A VF=0.85V IR=500uA
MDD
Rectifier Diodes VR=100V IF=3A VF=1.2V IR=5uA
MDD
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):24V;稳压值(范围):22.8V~25.2V;精度:-;功率:1W;
MDD
二极管配置:-;稳压值(标称值):39V;稳压值(范围):37.1V~41V;精度:-;功率:1W;
MDD