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二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):10uA@1kV;
MSKSEMI
二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;反向电流(Ir):10uA@1kV;
MSKSEMI
Single IAV=5A IR=200uA@40V VF=550mV@5A VRRM=40V DO-214AC Diodes - General Purpose ROHS
MSKSEMI
二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):900mV@3A;反向电流(Ir):1mA@40V;
MSKSEMI
反向截止电压(Vrwm):5V@Max;击穿电压:6V;最大钳位电压:25V;
MSKSEMI
二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):900mV@3A;反向电流(Ir):1mA@40V;
MSKSEMI
500uA@40V 40V Single 550mV@1A 1A SMA(DO-214AC) Schottky Barrier Diodes
MSKSEMI
DFN2510-10 ESD Protection Devices ROHS
MSKSEMI
M7
此款SMA封装4007整流二极管,他能完美的处理最大1安培的连续正向电流和稳定的反向耐压,确保在PCB板上能稳定运行,被广泛应用于适用于各种电源整流、简单电压调节、保护电路以及桥式整流电路等,特别是在需要小体积、高密度组装的电子产品中。
MSKSEMI
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):20.8W;
MSKSEMI