N+N Channel 30V 25A 12.5W(Tc) 10.5mΩ

P Channel 40V 70A 113W(Tc) 7mΩ

P Channel 40V 95A 135W(Tc) 4.6mΩ

类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):52W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

通用料（ 低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=120V Id=100A Rds=5.5mΩ(7.0mΩ最大)DFN5x6封装；

N+N Channel 30V 28A 24W(Tc) 7.0mΩ

BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=140A Rds=2.3mΩ(3.1mΩ最大)DFN5x6封装；

N Channel 20V 85A 72W(Tc)3.5mΩ

通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-30V Id=-65A Rds=6.5mΩ(8.5mΩ最大)TO-252封装；

N+P Channel 40V 23A/-20A 27.8W(Tc) 18mΩ/32mΩ