P Channel 40V 70A 113W(Tc) 7mΩ

N+N Channel 30V 25A 12.5W(Tc) 10.5mΩ

P Channel 40V 95A 135W(Tc) 4.6mΩ

类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):52W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-30V Id=-65A Rds=6.5mΩ(8.5mΩ最大)TO-252封装；

N+P Channel 40V 7.6A/-7.5A 2.5W(Tc)18mΩ/26mΩ

通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=100V Id=100A Rds=4.7mΩ(6.5mΩ最大)DFN5x6封装；

BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=140A Rds=2.3mΩ(3.1mΩ最大)DFN5x6封装；

N+P Channel 40V 7.6A/-6.5A 3.0W(Tc) 18mΩ/34mΩ

通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=30V Id=13A Rds=6.5mΩ(9.5mΩ最大)SOP-8封装；