
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.8nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):190pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);
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类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):109W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.56nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):700pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);
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类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):17W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:+150℃@(Tj);
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类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):62mΩ@10V,14A;
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