电子发烧友企业号制造商,让更多好产品被看见与查询

SS8050

General Purpose Transistors NPN 25V 1.5A 120~400 SOT23

FUXINSEMI

1N4148W

Switching Diodes (Small Signal) 75V 150mA 8ns SOD123

FUXINSEMI

SS510A

二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):850mV@5A;

FUXINSEMI

SS34F

二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3A;

FUXINSEMI

SS34A

二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3A;

FUXINSEMI

SS210A

二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):850mV@2A;

FUXINSEMI

FESD05BD3

FUXINSEMI

SS24A

二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):550mV@2A;

FUXINSEMI

S8050

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj);

FUXINSEMI

MMBD7000LT1G

Switching Diode VRWM=53V IO=200mA PD=225mW SOT23

FUXINSEMI