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二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):920mV@15A;
FUXINSEMI
二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):850mV@10A;
FUXINSEMI
Schottky Diode SMT 3A 450pF 100μA
FUXINSEMI
直流反向耐压(Vr):10V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):600mV@1A;反向电流(Ir):25uA@8V;
FUXINSEMI
二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;
FUXINSEMI
二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):700mV@5A;
FUXINSEMI
二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):920mV@10A;
FUXINSEMI
Schottky Diode 7.11 x 6.22mm SMT 3A 500mV 80A
FUXINSEMI
二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):920mV@15A;
FUXINSEMI
二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):920mV@5A;
FUXINSEMI