晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):350mW;

直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):450mV@1A;

二极管配置:独立式;稳压值(标称值):24V;稳压值(范围):22.8V~25.6V;精度:±5%;功率:300mW;反向电流(Ir):100nA@19V;阻抗(Zzt):60Ω;

二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.1V;稳压值(范围):4.8V~5.4V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@1.5V;阻抗(Zzt):130Ω;

二极管配置:独立式;稳压值(标称值):47V;稳压值(范围):44V~50V;精度:±5%;功率:300mW;反向电流(Ir):2uA@36V;阻抗(Zzt):150Ω;

晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-;

二极管配置:1对串联式;功率:225mW;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向恢复时间(trr):6ns;