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晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;
HT
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):24V;稳压值(范围):22.8V~25.6V;精度:±5%;功率:300mW;反向电流(Ir):100nA@19V;阻抗(Zzt):60Ω;
HT
直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):450mV@1A;
HT
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):47V;稳压值(范围):44V~50V;精度:±5%;功率:300mW;反向电流(Ir):2uA@36V;阻抗(Zzt):150Ω;
HT
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.1V;稳压值(范围):4.8V~5.4V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@1.5V;阻抗(Zzt):130Ω;
HT
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):350mW;
HT
HT
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;
HT
档位:200-350
HT
档位:100-200
HT