档位：100-200

档位：250-300

晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-;

二极管配置:1对串联式;功率:225mW;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向恢复时间(trr):6ns;

档位：100-200

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V;

档位：250-600