MOS N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=88A RDS(ON)=8mΩ@4.5V PDFN5060

MOS N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=35mΩ@10V SOP8_150MIL

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):88A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;

类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;

类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):52W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,50A;

N 沟道，75V，80A，8mΩ@10V

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):29W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;